- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369051 > 2N6796LCC4 N-Channel Power MOSFET（Vdss：100V，Id(cont)：7.4A，Rds(on)：0.18Ω）(N溝道功率型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（Vdss：100V，Id(cont)：3.4A，Rds(on)：0.18Ω）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6796LCC4 |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET（Vdss：100V，Id(cont)：7.4A，Rds(on)：0.18Ω）(N溝道功率型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（Vdss：100V，Id(cont)：3.4A，Rds(on)：0.18Ω）) |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：7.4A時(shí)，RDS（上）：0.18Ω）（不適用馬鞍山溝道功率型場(chǎng)效應(yīng)管（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：3.4A時(shí)，RDS （上）：0.18Ω）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | 2N6796LCC4 |
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
10/99
2N6796LCC4
V
DSS
I
D
R
DS(ON)
= 0.18
= 100V
= 7.4A
FEATURES
Hermetically sealed ceramic surface
mount package
Small footprint
Simple drive requirements
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
Drain–Source Voltage
Drain–Gate Voltage
Gate–Source Voltage
Drain Current Continuous
Drain Current Pulsed
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
(V
GS
= 1.0m
)
THERMAL CHARACTERISTICS
R
θ
JC
Thermal Resistance Junction to Case
R
θ
JC
Thermal Resistance Junction to Ambient
T
L
Maximum Lead Temperature 1.5mm from Case for 10 secs.
100V
100V
±20V
7.4A
30A
22W
0.17°C/W
–55 to +150°C
5.0°CW
175°CW
300°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
LCC4 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
Underside View
Pads 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13.
Pads 4,5
Pads 1,2,15,16,17,18
Pads 3,14
Source
Gate
Drain
Not Connected
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.08 (0.003)
0.43 (0.017)
0.18 (0.007
Rad.
Rad.
N-CHANNEL
POWER MOSFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6796U | N-Channel |
| 2N6791 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N6792 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
| 2N6794LCC4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | LLCC |
| 2N6795 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6796U | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC |
| 2N6796UJANTX | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| 2N6797 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 |
| 2N6798 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 22A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5.5A 3PIN TO-39 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET 200V 5.5A TO-205AF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 200V, 5.5A, TO-205AF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 200V, 5.5A, TO-205AF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No |
| 2N6798_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-CHANNEL MOSFET |
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