參數(shù)資料
型號： 2N6668AS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/61頁
文件大小： 376K
代理商： 2N6668AS
Selector Guide
2–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 3. Plastic TO–218 Type (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
15
60
TIP3055
TIP2955
5 min
10
2.5
80
150
MJH11018 (2)
MJH11017 (2)
400/15k
10
3
150
200
MJH11020 (2)
MJH11019 (2)
400/15k
10
3
150
250
MJH11022 (2)
MJH11021 (2)
400/15k
10
3
150
400
BUV48
8 min
10
2
0.4
10
150
450
BUV48A
8 min
8
2
0.4
10
150
16
140
MJE4342
MJE4352
15 min
8
1.2 typ
8
1
125
160
MJE4343
MJE4353
15 min
8
1.2 typ
8
1
125
20
60
MJH6282(2)
MJH6285(2)
750/18k
10
4
125
100
MJH6284 (2)
MJH6287 (2)
750/18k
10
4
125
25
80
TIP35A
TIP36A
15/75
15
0.6 typ
0.3 typ
10
3
125
100
BD249C
BD250C
10 min
15
3
125
TIP35C
TIP36C
15/75
15
0.6 typ
0.3 typ
10
3
125
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Table 4. Isolated Mounting Hole — Plastic TO–247 Type
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
10
650
1500
MJW16212
4/10
10
4(3)
0.5(3)
5.5
150
800
1500
MJW16018
4 min
5
4.5 typ
0.2 typ
5
3 typ
150
12
500
1200
MJW16206
5/13
10
2.25
0.25
6.5
3 typ
150
15
450
850
MJW16010
5 min
15
1.2 typ
0.2 typ
10
150
850
MJW16012
7 min
15
0.9 typ
0.15 typ
10
150
500
1000
MJW16010A
5 min
15
3
0.4
10
150
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(10)Tested in Applications simulator: see Data Sheet.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
CASE 340F
(TO–247 Type)
1
3
2
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PDF描述
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2N6668BC 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2N6667DW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6672 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6673 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 8A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
2N6674 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 15A 3PIN TO-3 - Bulk
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