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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6660LCC4-JQR-B |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LCC4-15 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2N6660LCC4-JQR-B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6789R1 | 3.5 A, 150 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6799LCC4-JQR-A | 3 A, 350 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6791LCC6-JQR-B | 2 A, 350 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6795R1 | 8 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6766R1 | 30 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6660X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N6661 | 功能描述:MOSFET 90V 4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6661_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6661_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
| 2N6661-2 | 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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