參數(shù)資料
型號： 2N6517STOE
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： 2N6517STOE
相關PDF資料
PDF描述
2N6517STOA 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6517STOA 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6519D26Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N651A 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N6520-BP 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2N6517TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6517TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6518 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N6518BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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