參數(shù)資料
型號： 2N6489LEADFREE
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 34K
代理商： 2N6489LEADFREE
Power Transistors
TO-220 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(A)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
2N5294
4.0
36
80
70
30
120
0.5
1.0
0.5
0.8
2N5296
4.0
36
60
40
30
120
1.0
0.8
2N5298
4.0
36
80
60
20
80
1.5
1.0
1.5
0.8
2N5490
7.0
50
60
40
20
100
2.0
1.0
2.0
0.8
2N5492
7.0
50
75
55
20
100
2.5
1.0
2.5
0.8
2N5494
7.0
50
60
40
20
100
3.0
1.0
3.0
0.8
2N5496
7.0
50
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70
20
100
3.5
1.0
35
0.8
2N6043
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10
75
60
1,000
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4.0
2.0
4.0
2N6044
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10
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2.0
4.0
2N6045
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100
1,000
20,000
3.0
2.0
3.0
4.0
2N6099
10
75
70
60
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4.0
2.5
10
5.0
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10
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80
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2.5
10
5.0
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16
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15
80
8.0
2.5
16
5.0
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1.5
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100
1.5
0.6
1.5
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20
80
1.5
0.6
1.5
2.5
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20
100
2.5
1.4
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2.5
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100
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7.0
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2N6488
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20
150
5.0
1.3
5.0
Standard
Optional
TO-220
TO-220FP Full Pak
Fully Isolated
(6-December 2004)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2N6473LEADFREE 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
2N6490 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N649093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6491 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N649104 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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