參數(shù)資料
型號(hào): 2N6380
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 80V的五(巴西)總裁| 50A條一(c)|至210AE
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: 2N6380
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PDF描述
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AP1153 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3
AP1154 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3
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參數(shù)描述
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2N6383SV 制造商: 功能描述:
2N6384 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2