參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6348AG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
中文描述： 600 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： 2N6348AG
2N6344A, 2N6348A, 2N6349A
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted; Electricals apply in either direction)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
*Peak Repetitive Blocking Current
(V
D
= Rated V
DRM
, V
RRM
; Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 110
°
C
I
DRM
,
I
RRM
10
2.0
A
mA
ON CHARACTERISTICS
*Peak On-State Voltage
(I
TM
=
17 A Peak; Pulse Width = 1 to 2 ms, Duty Cycle
2%)
V
TM
1.3
1.75
V
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 )
Quadrant I: MT2(+), G(+)
Quadrant II: MT2(+), G()
Quadrant III: MT2(), G()
Quadrant IV: MT2(), G(+)
*MT2(+), G(+); MT2(), G() T
C
= 40
°
C
*MT2(+), G(); MT2(), G(+) T
C
= 40
°
C
All
2N6348A and 2N6349A only
All
2N6348A and 2N6349A only
I
GT
6.0
6.0
10
25
50
75
50
75
100
125
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 )
Quadrant I: MT2(+), G(+)
Quadrant II: MT2(+), G()
Quadrant III: MT2(), G()
Quadrant IV: MT2(), G(+)
*MT2(+), G(+); MT2(), G() T
C
= 40
°
C
*MT2(+), G(); MT2(), G(+) T
C
= 40
°
C
All
2N6348A and 2N6349A only
All
2N6348A and 2N6349A only
V
GT
0.9
0.9
1.1
1.4
2.0
2.5
2.0
2.5
2.5
3.0
V
Gate NonTrigger Voltage (V
= Rated V
, R
= 10 k , T
J
= 110
°
C)
*MT2(+), G(+); MT2(), G(); MT2(+), G(); MT2(), G(+)
V
GD
0.2
V
Holding Current
(V
= 12 Vdc, Gate Open)
Initiating Current =
T
= 25
°
C
*T
C
= 40
°
C
200 mA
I
H
6.0
40
75
mA
*Turn-On Time
(V
D
= Rated V
DRM
, I
TM
= 17 A, I
GT
= 120 mA,
Rise Time = 0.1 s, Pulse Width = 2 s)
t
gt
1.5
2.0
s
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of Commutation Voltage
(V
D
= Rated V
DRM
, I
TM
= 17 A, Commutating di/dt = 6.1 A/ms,
Gate Unenergized, T
C
= 80
°
C)
*Indicates JEDEC Registered Data.
dv/dt(c)
5.0
V/ s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6349AG Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6344A 12 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(12A（均方根值）,600V硅雙向晶閘管)
2N6348A 12 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(12A（均方根值）,600V硅雙向晶閘管)
2N6349A 12 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(12A（均方根值）,800V硅雙向晶閘管)
2N6344G Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6349 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:TO-220AB
2N6349A 功能描述:雙向可控硅 THY 12A 800V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6349AG 功能描述:雙向可控硅 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N634A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
2N635 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*