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| 型號: | 2N6071B |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | 晶閘管 |
| 英文描述: | Sensitive Gate Triacs |
| 中文描述: | 200 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225 |
| 封裝: | CASE 77-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 4/8頁 |
| 文件大小: | 119K |
| 代理商: | 2N6071B |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6073A | Sensitive Gate Triacs |
| 2N6073B | Sensitive Gate Triacs |
| 2N6075A | Sensitive Gate Triacs |
| 2N6075B | Sensitive Gate Triacs |
| 2N6073A | TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N6071BG | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| 2N6071BT | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| 2N6071BTG | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| 2N6072 | 制造商:Motorola 功能描述:2N6072 MOT N9H1C |
| 2N6072A | 制造商:WESTNGHSE 功能描述:300 V, 4 A, TRIAC, TO-126 |
| *型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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