參數(shù)資料
型號： 2N6036
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
中文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2N6036
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.12
83.3
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEX
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= rated V
CEO
V
CE
= rated V
CEO
T
c
= 125
o
C
0.1
0.5
mA
mA
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= rated V
CBO
0.1
mA
I
CEO
V
CE
= rated V
CEO
0.1
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
2
mA
I
C
= 100 mA
80
V
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
I
B
= 8 mA
I
B
= 40 mA
2
3
V
V
I
C
= 4 A
I
B
= 40 mA
4
V
I
C
= 2 A
V
CE
= 3 V
2.8
V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
500
750
100
15000
h
fe
Small Signal Current
Gain
Collector Base
Capacitance
I
C
= 0.75 A
V
CE
= 10 V
f = 1KHz
25
C
CBO
I
E
= 0
for
NPN types
for
PNP types
V
CB
= 10 V
f = 1MHz
100
200
pF
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
DeratingCurve
2N6036/2N6039
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6050 Silicon PNP Power Darlington Transistor(硅PNP功率達(dá)林頓晶體管)
2N6050 POWER TRANSISTORS(12A,150W)
2N6059 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
2N6050 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS
2N6051 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
2N6036_00 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
2N6036_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors
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2N6037 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6037ECB 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6037
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