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參數資料
| 型號： | 2N60-TN3-T |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
| 中文描述： | 2安培，600伏特N通道MOSFET |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | 2N60-TN3-T |
2N60
Power MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R502-053,E
4 of 8
T ES T CIRCUIT S AND WAV EFORMS
Same Type
as D.U.T.
L
V
DD
Driver
V
GS
R
G
-
V
DS
D.U.T.
+
* dv/dt controlled by R
G
* I
SD
controlled by pulse period
* D.U.T.-Device Under Test
P. W.
Period
D=
V
GS
(Driver)
I
SD
(D.U.T.)
I
FM
, Body Diode Forward Current
di/dt
I
RM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dvdt
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
DD
10V
V
DS
(D.U.T.)
-
+
V
GS
=
P.W.
Period
Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6106 | SMA FEMALE POWER DIVIDER; NUMBER OF OUTPUT PORTS: 4; FREQUENCY RANGE: 0.5 - 1 GHz; MINIMUM ISOLATION: 20 dB; VSWR: 1.30 MAXIMUM; MAXIMUM INSERTION LOSS: .40 dB |
| 2N6108 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6110 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6289 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6291 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N60Z | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N60ZG-TF3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N60ZG-TM3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N60ZG-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N60ZG-TN3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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