| 型號(hào): | 2N5958 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 100V的五(巴西)總裁|甲一(c)|至210AC |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商: | 2N5958 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1936 | Open-Drain SOT µP Reset Circuit |
| AP1086 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
| AP1150 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
| AP1151 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
| AP1152 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5959 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 20A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N596 | 制造商:AMRMSC 功能描述: |
| 2N5960 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 20A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5961 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Lvl SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5961_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |