參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5884
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 275K
代理商： 2N5884
2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0.3
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
10
0.5 0.7 1.0
3.0
5.0 7.0
10
30
70
30
20
100
50
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
200
300
VCE = 4.0 V
2.0
20
PNP DEVICES
2N5883 and 2N5884
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
NPN DEVICES
2N5885 and 2N5886
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPERES)
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
5.0 A
1.2
1.6
0.05
0.5
10 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
TJ = 25°C
2.0
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
20
VBE @ VCE = 4 V
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
TJ = 25°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
700
500
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0 7.0
10
30
2.0
20
VCE = 4.0 V
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
2.0
5.0
20 A
IC = 2.0 A
5.0 A
10 A
20 A
1000
10
70
30
20
100
50
200
300
700
500
2.0
0.01
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
1.2
1.6
0.05
0.5
2.0
5.0
2.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
7.0
10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
5.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 4 V
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PDF描述
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2N5885 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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