參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5873
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
中文描述： 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 11K
代理商： 2N5873
2N5873
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 60V
I
C
= 7A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications.
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
60
V
I
C(CONT)
7
A
h
FE
@ 4/2.5 (V
CE
/ I
C
)
20
100
-
f
t
4M
Hz
P
D
115
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
31-Jul-02
TO3 (TO204AA)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
3
(case)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
0
1
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
2
(
m
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5870 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
2N5882 Silicon NPN High-Power Transistor(15A，160W，80V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N5883 Complementary Silicon PNP Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
2N5884 Complementary Silicon High Power Transistors(補(bǔ)償型硅高功率晶體管)
2N5885 Complementary Silicon NPN Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5874 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N5875 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Semiconductors 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-3
2N5876 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 10A 3PIN TO-3 - Bulk
2N5877 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 10A 3PIN TO-3 - Bulk
2N5878 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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