參數(shù)資料
型號(hào): 2N5630
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 16 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CAN-2
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 75K
代理商: 2N5630
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6688 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5629 16 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5935 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6836 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5639TA 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5631 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5631/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors
2N5631G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5632 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N5633 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 10A 3PIN TO-3 - Bulk