- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369039 > 2N5550S (KEC Holdings) Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，高電壓應(yīng)用）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5550S |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，高電壓應(yīng)用）) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（一般應(yīng)用，高電壓應(yīng)用程序）（外延平面npn型晶體管（通用型，高電壓應(yīng)用）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | 2N5550S |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N5550TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550TAR_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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