參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5550-18R
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92-18R, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 406K
代理商： 2N5550-18R
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5550G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR BJT NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V, Transition Frequency ft:300MHz, Power Dissipation Pd:625mW, DC Collector Current:600mA, DC Current Gain hFE:60, Operating , RoHS Compliant: Yes
2N5550RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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