參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5209RLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/35頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： 2N5209RLRE
2–51
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
50
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
50
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
50
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
50
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 35 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N5209
2N5210
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5209RLRA 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5210RLRM 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5210RLRAG 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5239 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5240 5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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參數(shù)描述
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2N520A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-5
2N521 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | TO-5
2N5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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