參數(shù)資料
型號： 2N5199
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場效應管)
中文描述： 單片雙N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓- 50V的最大柵極工作電流，15pA的雙?溝道結(jié)型場效應管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： 2N5199
2N5196/5197/5198/5199
Siliconix
P-37514—Rev. C, 25-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
0.01
0.1
1
10
1
0
–1.5
–1.0
–0.5
–2.0
–2.5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
130
120
80
110
100
90
0.01
0.1
1
100
10
1
100
5
0.1
1
0.01
100
80
60
40
20
0
Transfer Characteristics
Gate-Source Differential Voltage
vs. Drain Current
Voltage Differential with Temperature
vs. Drain Current
Common Mode Rejection Ratio
vs. Drain Current
(
V
G
V
G
–
C
A
V
–
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
2N5196
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –2 V
V
DG
= 20 V
T
A
= 25 to 125 C
T
A
= –55 to 25 C
V
DG
= 20 V
T
A
= 25 C
5 – 10 V
V
GS(off)
= –3 V
–
I
D
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
2N5199
2N5196
2N5199
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
0.01
0.1
1
1 k
800
600
400
200
0
V
GS(off)
= –2 V
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 20 V
V
GS(off)
= –2 V
V
GS(off)
= –3 V
25 C
V
(
)
t
V
G
V
G
–
r
D
–
)
V
GS1
V
GS2
–
V
DG
CMRR = 20 log
V
DG
= 10 – 20 V
相關PDF資料
PDF描述
2N5196 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場效應管)
2N5197 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場效應管)
2N5198 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場效應管)
2N5202 HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
2N6500 HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N5199-E3 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N520 制造商:. 功能描述:
2N5200 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46
2N5202 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 4A 2PIN TO-66 - Bulk
2N5204 功能描述:SCR 600 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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