參數(shù)資料
型號： 2N5199
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Monolithic N-Channel JFET Duals
中文描述： 單片N溝道場效應偶
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2N5199
2N5196/5197/5198/5199
Vishay Siliconix
Document Number: 70252
S-04031
—
Rev. D, 04-Jun-01
www.vishay.com
8-5
0.01
0.1
1
10
1
0
–
1.5
–
1.0
–
0.5
–
2.0
–
2.5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
130
120
80
110
100
90
0.01
0.1
1
100
10
1
100
5
0.1
1
0.01
100
80
60
40
20
0
Transfer Characteristics
Gate-Source Differential Voltage
vs. Drain Current
Voltage Differential with Temperature
vs. Drain Current
Common Mode Rejection Ratio
vs. Drain Current
C
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (mA)
I
D
–
Drain Current (mA)
I
D
–
Drain Current (mA)
I
D
–
Drain Current (mA)
2N5196
T
A
=
–
55 C
125 C
V
GS(off)
=
–
2 V
V
DG
= 20 V
A
= 25 to 125 C
T
A
=
–
55 to 25 C
V
DG
= 20 V
T
A
= 25 C
5
–
10 V
V
GS(off)
=
–
3 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
2N5199
2N5196
2N5199
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
–
Drain Current (mA)
0.01
0.1
1
1 k
800
600
400
200
0
V
GS(off)
=
–
2 V
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 20 V
V
GS(off)
=
–
2 V
V
GS(off)
=
–
3 V
25 C
V
DG
= 10
–
20 V
(
V
G
V
G
–
V
(
)
t
V
G
V
G
–
V
GS1
V
GS2
–
V
DG
CMRR = 20 log
r
D
–
I
D
–
A
V
–
相關PDF資料
PDF描述
2N5199 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結型場效應管)
2N5196 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結型場效應管)
2N5197 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結型場效應管)
2N5198 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結型場效應管)
2N5202 HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N5199-E3 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N520 制造商:. 功能描述:
2N5200 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46
2N5202 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 4A 2PIN TO-66 - Bulk
2N5204 功能描述:SCR 600 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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