參數(shù)資料
型號： 2N5196
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Monolithic N-Channel JFET Duals
中文描述： 單片N溝道場效應(yīng)偶
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2N5196
2N5196/5197/5198/5199
Vishay Siliconix
www.vishay.com
8-4
Document Number: 70252
S-04031
—
Rev. D, 04-Jun-01
5
0
–
5
–
4
–
3
–
2
–
1
4
2
1
0
0
30
20
10
40
50
3
2.6
2.2
1
3
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Gate Leakage Current
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
–
Drain-Gate Voltage (V)
0.1 pA
10 pA
1 pA
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
200 A
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
5
4
3
2
1
0
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
–
0.2 V
–
0.4 V
–
0.6 V
–
0.3 V
–
0.9 V
–
0.6 V
–
2.1 V
–
1.5 V
–
0.8 V
–
1.0 V
–
1.2 V
–
1.2 V
–
1.8 V
V
GS(off)
=
–
2 V
V
GS
= 0 V
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
=
–
3 V
2
0
0.6
0.8
0.4
0.2
1
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
–
0.2 V
–
0.4 V
–
0.6 V
–
0.8 V
–
1.0 V
–
1.2 V
–
1.4 V
V
GS(off)
=
–
2 V
V
GS
= 0 V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.6
0.8
0.4
0.2
1
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
=
–
3 V
–
0.3 V
–
0.9 V
–
0.6 V
–
2.1 V
–
1.5 V
–
1.2 V
–
2.4 V
–
1.8 V
1.8
1.4
50 A
I
G
@ I
D
= 200 A
–
1.6 V
0
12
16
8
4
20
–
1.4 V
–
2.4 V
16
0
12
8
4
20
50 A
g
f
–
I
D
–
I
G
–
I
D
–
I
D
–
I
D
–
I
D
–
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