參數(shù)資料
型號： 2N5195
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Medium Power PNP Silicon Transistor(PNP硅晶體管)
中文描述： 中功率硅晶體管進(jìn)步黨（民進(jìn)黨硅晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 61K
代理商： 2N5195
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.12
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= rated V
CBO
-0.1
mA
I
CEX
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= rated V
CEO
V
CE
= rated V
CEO
V
CE
= rated V
CEO
T
c
= 125
o
C
-0.1
-2
mA
mA
I
CEO
-1
mA
I
EBO
V
EB
= -5 V
-1
mA
I
C
= -100 mA
-80
V
I
C
= -1.5 A
I
C
= -4 A
I
B
= -0.15 A
I
B
= -1 A
-0.6
-1.2
V
V
V
BE
h
FE
Base-Emitter Voltage
I
C
= -1.5 A
V
CE
= -2 V
-1.2
V
DC Current Gain
I
C
= -1.5 A
I
C
= -4 A
V
CE
= -2 V
V
CE
= -2 V
20
7
80
f
T
Transition frequency
I
C
= -1 A
V
CE
= -10 V
2
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
DeratingCurves
2N5195
2/5
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PDF描述
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