參數(shù)資料
型號： 2N5064
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： 2N5064<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： 2N5064
Semiconductors
Product specification
Thyristor
sensitive gate
2N5064
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
Glass
thyristor
intended for use in general purpose
switching
and
applications. This device is intended
to
be
interfaced
microcontrollers,
circuits and other low power gate
trigger circuits.
passivated
in
sensitive
plastic
gate
SYMBOL
PARAMETER
MAX. UNIT
a
envelope,
V
DRM
,
V
RRM
I
T(AV)
I
T(RMS)
I
TSM
Repetitive peak off-state voltages
200
V
phase
control
Average on-state current
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state current
0.5
0.8
10
A
A
A
directly
integreated
to
logic
PINNING - TO92 variant
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
gate
3
cathode
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DRM
, V
RRM
Repetitive peak off-state
voltages
I
T(AV)
Average on-state current
-
200
V
half sine wave
T
c
≤
67 C
T
≤
102 C
all conduction angles
-
-
-
-
0.51
0.255
0.8
8
A
A
A
A
I
T(RMS)
I
TRM
RMS on-state current
Repetitive peak on-state
current
Non-repetitive peak
on-state current
I
t for fusing
Peak gate current
Peak gate voltage
Peak reverse gate voltage
Peak gate power
Average gate power
Storage temperature
Operating junction
temperature
I
TSM
half sine wave; T
a
= 25 C prior to surge;
t = 8.3 ms
t = 8.3 ms
T
a
= 25C, t
p
= 300
μ
s; f = 120 Hz
-
10
A
I
2
t
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
-
-
-
-
-
-
0.4
1
5
5
0.1
0.01
150
125
A
2
s
A
V
V
W
W
C
C
T
a
= 25C
T
a
= 25C, over any 16 ms period
-65
-65
a
k
g
3 2 1
October 1997
1
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5397 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5064,112 功能描述:SCR BULK SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064G 功能描述:SCR THY 0.8A 200V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRA 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRAG 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5064RLRM 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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