- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369024 > 2N4416 (Vishay Intertechnology,Inc.) N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-30V，最小飽和漏極電流5mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N4416 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-30V，最小飽和漏極電流5mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 30V的，最小飽和漏極電流5mA的的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | 2N4416 |
2N4416/2N4416A/SST4416
2
Siliconix
S-52424—Rev. E, 14-Apr-97
Absolute Maximum Ratings
Gate-Drain, Gate-Source Voltage :
(2N/SST4416)
(2N4416A)
–30 V
–35 V
10 mA
300 C
. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate Current
Lead Temperature
Storage Temperature :
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(2N Prefix)
(SST Prefix)
–65 to 200 C
–65 to 150 C
. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature
–55 to 150 C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation :
(2N Prefix)
a
(SST Prefix)
b
300 mW
350 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . .
Notes
a.
b.
Derate 2.4 mW/ C above 25 C
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
Specifications
a
Limits
2N4416
2N4416A
SST4416
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
b
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Static
Gate-Source
Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= –1 A , V
DS
= 0 V
–36
–30
–35
–30
V
Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 15 V, I
D
= 1 nA
–3
–6
–2.5
–6
–6
Saturation Drain Current
c
I
DSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
10
5
15
5
15
5
15
mA
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V (2N)
–2
–100
–100
pA
Gate Reverse Current
I
GSS
T
A
= 150 C
–4
–100
–100
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V (SST)
–0.002
–1
nA
T
A
= 125 C
–0.6
Gate Operating Current
Drain Cutoff Current
d
Drain-Source On-Resistance
d
I
G
V
DG
= 10 V, I
D
= 1 mA
V
DS
= 10 V, V
GS
= –6 V
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
–20
pA
I
D(off)
r
DS(on)
2
150
Gate-Source
Forward Voltage
d
V
GS(F)
I
G
= 1 mA , V
DS
= 0 V
0.7
V
Dynamic
Common-Source
Forward Transconductance
c
g
fs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
1 kH
f
6
4.5
7.5
4.5
7.5
4.5
7.5
mS
Common-Source
Output Conductance
c
g
os
15
50
50
50
S
Common-Source
Input Capacitance
C
iss
2.2
4
4
Common-Source
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
0.7
0.8
0.8
pF
Common-Source
Output Capacitance
C
oss
1
2
2
Equivalent Input
Noise Voltage
c
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
6
nV
√
Hz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4416A | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-35V，最小飽和漏極電流5mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 2N4427 | Silicon planar epitaxial overlay transistors |
| 2N4427 | VHF OSCILLATOR POWER AMPLIFIER |
| 2N4427 | Small Signal Transistors |
| 2N4427 | silicon transistors UHF/VHF power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4416 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-72 |
| 2N4416_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:N-Channel high frequency JFET amplifier |
| 2N4416_TO-72 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a N-Channel high frequency JFET amplifier |
| 2N4416_TO-92 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a N-Channel high frequency JFET amplifier |
| 2N4416A | 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。