參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4402-BP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2N4402-BP
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
(VCE=1.0Vdc, IC=1.0mAdc)
(VCE=1.0Vdc, IC=10mAdc)
(VCE=2.0Vdc, IC=150mAdc)
(VCE=2.0Vdc, IC=500mAdc)
30
50
20
150
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)
(IC=500mAdc, IB=50mAdc )
---
0.40
0.75
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)
(IC=500mAdc, IB=50mAdc )
0.75
0.95
1.30
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
COB
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, f=140KHz)
---
8.5
pF
CIB
Input Capacitance
(VEB=0.5Vdc, f=140KHz)
---
30
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
(IC=20mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz )
1.5
---
hfe
Small-Signal Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz )
30
250
---
hie
Small-Signal Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz )
0.75
7.5
KOHM
hre
Small-Signal Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz )
0.10
8.0
X 10
-4
hoe
Small-Signal Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz )
1.0
100
umhos
SWITCHING CHARACTERISTICS
Td
Delay Time
---
15
ns
tr
Rise Time
VCC=30Vdc, IC=150mAdc,
IB1=15mAdc, VBE(off)=2.0Vdc
---
20
ns
ts
Storage Time
---
225
ns
tf
Fall Time
VCC=30Vdc, IC=150mAdc,
IB1=IB2=15mAdc
---
30
ns
* Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%
MCC
2N4402
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4410RL 250 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4410RLRM 250 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4410RL1 250 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4410RLRE 250 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4427 0.4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4402BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4402RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N4402TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4402TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4402TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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