參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4400
廠商： Semtech Corporation
英文描述： NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： npn型EXPITAXIAL硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 153K
代理商： 2N4400
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 6
Characteristic
Collector Emitter Voltage
I
C
=1mA, I
B
=0
Collector Base Voltage
I
C
=100μA, I
E
=0
Emitter Base Voltage
I
E
=100μA, I
C
=0
Base Cutoff Current
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
Collector Cutoff Current
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
Symbol
2N4400/01
2N4402/03
Unit
BV
CEO
*
>40
>40
V
BV
CBO
>60
>40
V
BV
EBO
>6
>5
V
I
BEV
<0.1
<0.1
μA
I
CEX
<0.1
<0.1
μA
V
CE (sat)
*
<0.4
<0.75
<0.4
<0.75
V
V
V
BE (sat)
*
0.75 to 0.95
0.75 to 0.95
V
V
<1.2
<1.3
Characteristic
Symbol
2N4400 2N4401 2N4402 2N4403
Unit
D C Current Gain
I
C
=0.1mA,V
CE
=1V
I
C
=1mA,V
CE
=1V
I
C
=10mA,V
CE
=1V
I
C
=150mA,V
CE
=1V*
I
C
=150mA,V
CE
=2V*
I
C
=500mA,V
CE
=2V*
h
FE
-
>20
>40
>80
-
>30
>60
>100
>20
>40
>30
>50
50-150 100-300
-
>20
-
-
-
50-150 100-300
>20
>40
>20
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small Signal Current Gain
I
C
=1mA, V
CE
=10V, f=1KHz h
fe
Input Impedance
I
C
=1mA, V
CE
=10V, f=1KHz h
ie
20-250
40-500
30-250
60-500
0.5-7.5
1.0-15
0.75-7.5
1.5-15
K
2N4400, 2N4401
2N4402, 2N4403
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4402 PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N4400 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2N4402 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
2N4400 NPN General Purpose Amplifier
2N4402 PNP General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN
2N4400_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N4400_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_D81Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_S00Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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