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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3906SU |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Epitaxial Planar PNP Transistor(General Application,Switching Application)(外延平面PNP晶體管（通用型，開關應用）) |
| 中文描述： | 外延平面PNP晶體管（一般應用，切換應用程序）（外延平面晶體管進步黨（通用型，開關應用）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 203K |
| 代理商： | 2N3906SU |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3918 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| 2N6302 | Bipolar NPN Device |
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| 2N3931 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3906T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| 2N3906T93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SW PNP 40V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906TAM | 功能描述:功率放大器 DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝: |
| 2N3906TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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