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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3903RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | 2N3903RLRE |
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2–3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
General Purpose Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS(1)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage (2)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
Base Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)
IBL
—
50
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)
ICEX
—
50
nAdc
1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N3903
2N3904
*Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
REV 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3903ZL1 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3903RLRMG | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3903 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N2218A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3904-AP | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3903RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 J05Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
| 2N3904(TE2,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2N3904,116 | 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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