參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3704D26Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 527K
代理商： 2N3704D26Z
2N3704
NPN General Purpose Amplifier
2N3704
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced
from Process 10. See PN100 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
50
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current - Continuous
500
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N3704
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°C/W
B
C
E
TO-92
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2N3705 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
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2N3707 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3708 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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