參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3507AL
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
封裝： TO-5, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： 2N3507AL
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/349
T4-LDS-0016 Rev. 1 (072040)
Page 1 of 2
DEVICES
LEVELS
2N3506
2N3507
JAN
2N3506A
2N3507A
JANTX
2N3506L
2N3507L
JANTXV
2N3506AL
2N3507AL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Symbol
2N3506
2N3507
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
50
Vdc
Collector-Base Voltage
VCBO
60
80
Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current
IC
3.0
Adc
Total Power Dissipation
@ TA = 25°C
(1)
@ TC = 25°C
(2)
PT
1.0
5.0
W
Operating & Storage Temperature Range
Top, Tstg
-65 to +200
°C
Note:
1)
Derate linearly 5.71 mW/°C for TA > +25°C
2)
Derate linearly 55.5 mW/°C for TC > +25°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 10mAdc
2N3506
2N3507
V(BR)CEO
40
50
Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
VCE = 40Vdc
VCE = 60Vdc
2N3506
2N3507
ICEX
1.0
Adc
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100Adc
V(BR)CBO
60
80
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10Adc
V(BR)EBO
5
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(3)
Forward-Current Transfer Ratio
IC = 500mAdc, VCE = 1Vdc
2N3506
2N3507
hFE
50
35
250
175
Forward-Current Transfer Ratio
IC = 1.5Adc, VCE = 2Vdc
2N3506
2N3507
hFE
40
30
200
150
Forward-Current Transfer Ratio
IC = 2.5Adc, VCE = 3Vdc
2N3506
2N3507
hFE
30
25
TO-5 (L-Versions)
TO-39 (TO-205-AD)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3506 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
2N3507AJ 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N3507AJX 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N3507 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
2N3507 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:U4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N3507JAN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39
2N3507JANTX 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39
2N3507JANTXV 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39
2N3507JX 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39
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