參數(shù)資料
型號(hào)： 2N2906E
廠商： KEC Holdings
英文描述： 2.0A,100V,25NS,UF Avalanche,SMD
中文描述： 外延平面PNP晶體管（通用，開(kāi)關(guān)）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： 2N2906E
2002. 9. 17
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N2906E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: I
CEX
=-50nA(Max.), I
BL
=-50nA(Max.)
@V
CE
=-30V, V
EB
=-3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: V
CE(sat)
=-0.4V(Max.) @I
C
=-50mA, I
B
=-5mA.
Low Collector Output Capacitance
: C
ob
=4.5pF(Max.) @V
CB
=5V.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
+
+
+
+
A
A1
B1
C
TES6
1.6 0.05
1.0 0.05
1.6 0.05
1.2 0.05
0.50
+
+
+
0.2 0.05
0.5 0.05
0.12 0.05
B
D
H
J
B1
B
D
A
A
C
C
J
H
1
2
3
6
4
P
P
P
5
5
1. Q EMITTER
2. Q BASE
3. Q BASE
4. Q COLLECTOR
5. Q EMITTER
6. Q COLLECTOR
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Collector Current
I
C
-200
mA
Base Current
I
B
-50
mA
Collector Power Dissipation
P
C
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
* Total Rating
1
Q1
2
3
6
5
4
Q2
Type Name
Marking
Z A
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N2907ACSM High Speed Medium Power PNP Switching Transistor In Hermetic Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(高速、中等功率、開(kāi)關(guān)型PNP晶體管（高可靠性、陶瓷表貼封裝）)
2N2907ADCSM Dual High Speed Medium Power PNP Switching Transistor In Hermetic Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(高速、中等功率、開(kāi)關(guān)型雙PNP晶體管（高可靠性、陶瓷表貼封裝）)
2N2907A General Purpose Amplifiers and Switches(硅平面外延工藝PNP晶體管(用于高速飽和開(kāi)關(guān)))
2N2920DCSM-QR-B 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2N2920ADCSM NPN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N2906E_08 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Laser Marking
2N2906J.TX.V 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N2906P 制造商:SSI 功能描述:2N2906P
2N2906U 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*