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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N2412 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2N2412 |
(CONTINUED ON REVERSE SIDE)
R0
2N2411
2N2412
PNP SILICON TRANSISTOR
JEDEC TO-18 CASE
DATA SHEET
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2411, 2N2412 types are PNP Saturated Switching Transistors designed
for high speed switching applications.
MAXIMUM RATINGS:
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Power Dissipation
PD
Power Dissipation (TC=25°C)
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Thermal Resistance
Θ
JA
Thermal Resistance
Θ
JC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICES
VCE=15V
ICES
VCE=15V, TA=150°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
BVCEO
IC=10mA
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
hFE
VCE=0.5V, IC=50μA
hFE
VCE=0.5V, IC=10mA
hFE
VCE=0.5V, IC=10mA, TA=-55°C
hFE
VCE=1.0V, IC=50mA
hfe
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
UNITS
25
15
5.0
100
0.5
1.2
V
V
V
mA
W
W
-65 to +200
350
146
°C
°C/W
°C/W
2N2411
MIN
2N2412
MIN
MAX
MAX
UNITS
25
15
0.7
10
20
10
1.4
10
10
0.2
0.9
60
10
5.0
8.0
25
15
0.7
20
40
20
1.4
10
10
10
0.2
0.9
120
20
nA
μ
A
μA
V
V
V
V
IC=10
μ
A
5.0
8.0
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2422A | MU4893 |
| 2N6028 | MU4893 |
| 2N2422B | MU4893 |
| 2N4948 | MU4893 |
| 2N4949 | MU4893 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N2412BX | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
| 2N2412X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
| 2N2417 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:MU4893 |
| 2N2417A | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:MU4893 |
| 2N2417B | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:MU4893 |
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