參數(shù)資料
型號(hào)： 2N2219A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： 2N2219A
Data Sheet PU10338EJ01V0DS
2
2SC4536
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0 mA
–
5.0
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 2 V, IC = 0 mA
–
5.0
A
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 10 V, IC = 50 mA
60
–
200
–
RF Characteristics
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz
5.5
7.2
–
dB
Noise Figure (1)
NF
Note 2
VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz
–
1.5
–
dB
Noise Figure (2)
NF
Note 2
VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz
–
2.0
–
dB
2nd Order Intermoduration Distortion
IM2
VCE = 10 V, IC = 50 mA, RS = RL = 75
,
VO = 105 dB
V/75 , f1 = 190 MHz,
f2 = 90 MHz, f = f1
f2
–
59.0
–
dBc
3rd Order Intermoduration Distortion
IM3
VCE = 10 V, IC = 50 mA, RS = RL = 75
,
VO = 105 dB
V/75 , f1 = 190 MHz,
f2 = 200 MHz, f = 2
× f1 f2
–
82.0
–
dBc
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. RS = RL = 50
, tuned
hFE CLASSIFICATION
Rank
QR
QS
Marking
QR
QS
hFE Value
60 to 120
100 to 200
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PDF描述
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2N2219A-B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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