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參數(shù)資料
| 型號： | 29102BJA |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2K x 8 CMOS RAM |
| 中文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, CDIP24 |
| 封裝： | CERAMIC, DIP-24 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 29102BJA |
6-4
AC Electrical Specifications
V
CC
= 5V
±
10%; T
A
= -40
o
C to +85
o
C (HM-6516B-9, HM-6516-9)
SYMBOL
PARAMETER
LIMITS
UNITS
TEST
CONDITIONS
HM-6516B-9
HM-6516-9
MIN
MAX
MIN
MAX
(1)
TELQV
Chip Enable Access Time
-
120
-
200
ns
(Notes 1, 3)
(2)
TAVQV
Address Access Time
-
120
-
200
ns
(Notes 1, 3, 4)
(3)
TELQX
Chip Enable Output Enable Time
10
-
10
-
ns
(Notes 2, 3)
(4)
TWLQZ
Write Enable Output Disable Time
-
50
-
80
ns
(Notes 2, 3)
(5)
TEHQZ
Chip Enable Output Disable Time
-
50
-
80
ns
(Notes 2, 3)
(6)
TGLQV
Output Enable Output Valid Time
-
80
-
80
ns
(Notes 1, 3)
(7)
TGLQX
Output Enable Output Enable Time
10
-
10
-
ns
(Notes 2, 3)
(8)
TGHQZ
Output Enable Output DisableTime
-
50
-
80
ns
(Notes 2, 3)
(9)
TELEH
Chip Enable Pulse Negative Width
120
-
200
-
ns
(Notes 1, 3)
(10)
TEHEL
Chip Enable Pulse Positive Width
50
-
80
-
ns
(Notes 1, 3)
(11)
TAVEL
Address Setup Time
0
-
0
-
ns
(Notes 1, 3)
(12)
TELAX
Address Hold Time
30
-
50
-
ns
(Notes 1, 3)
(13)
TWLWH
Write Enable Pulse Width
120
-
200
-
ns
(Notes 1, 3)
(14)
TWLEH
Write Enable Pulse Setup Time
120
-
200
-
ns
(Notes 1, 3)
(15)
TELWH
Write Enable Pulse Hold Time
120
-
200
-
ns
(Notes 1, 3)
(16)
TDVWH
Data Setup Time
50
-
80
-
ns
(Notes 1, 3)
(17)
TWHDX
Data Hold Time
10
-
10
-
ns
(Notes 1, 3)
(18)
TELEL
Read or Write Cycle Time
170
-
280
-
ns
(Notes 1, 3)
NOTES:
1. Input pulse levels: 0.8V to V
CC
- 2.0V; Input rise and fall times: 5ns (max); Input and output timing reference level: 1.5V; Output load:
1 TTL gate equivalent, C
L
= 50pF (min) - for C
L
greater than 50pF, access time is derated by 0.15ns per pF.
2. Tested at initial design and after major design changes.
3. V
CC
= 4.5V and 5.5V.
4. TAVQV = TELQV + TAVEL.
HM-6516
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29103BRA | 16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM |
| 29109BRA | 16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM |
| 2910 | 10 MHz BIPOLAR LOGARITHMIC AMPLIFIER |
| 29110BJA | 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
| 29104BJA | 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29102C | 功能描述:固定電感器 1uH 6A Shielded SMD RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| 291-031-0500 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:PLUGGABLE SERIES |
| 291-031-1500 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:PLUGGABLE SERIES |
| 291-031-2500 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:PLUGGABLE SERIES |
| 291-032-0500 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:PLUGGABLE SERIES |
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