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參數(shù)資料
| 型號： | 28C011TRTFS-20 |
| 廠商： | Maxwell Technologies, Inc |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8位）的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 6/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | 28C011TRTFS-20 |
M
6
All data sheets are subject to change without notice
2003 Maxwell Technologies
All rights reserved.
1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
28C011T
11.10.03 REV 10
Write Cycle Time
2
-120
-150
-200
t
WC
9, 10, 11
--
--
--
10
10
10
ms
Data Latch Time
-120
-150
-200
t
DL
9, 10, 11
250
300
400
--
--
--
ns
Byte Load Window
-120
-150
-200
t
BL
9, 10, 11
100
100
200
--
--
--
μs
Byte Load Cycle
-120
-150
-200
t
BLC
9, 10, 11
0.55
0.55
0.95
30
30
30
μs
Time to Device Busy
-120
-150
-200
t
DB
9, 10, 11
100
120
170
--
--
--
ns
Write Start Time
3
-120
-150
-200
t
DW
9, 10, 11
150
150
250
--
--
--
ns
RES to Write Setup Time
-120
-150
-200
t
RP
9, 10, 11
100
100
200
--
--
--
μs
V
CC
to RES Setup Time
4
-120
-150
-200
t
RES
9, 10, 11
1
1
3
--
--
--
μs
1. Use this device in a longer cycle than this value.
2.
t
WC
must be longer than this value unless polling techniques or RDY/BUSY are used. This device automatically completes the
internal write operation within this value.
3.
Next read or write operation can be initiated after t
DW
if polling techniques or RDY/BUSY are used.
4.
Gauranteed by design.
T
ABLE
8. 28C011T AC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
FOR
P
AGE
/B
YTE
E
RASE
AND
B
YTE
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 5V + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C)
P
ARAMETER
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
IN
1
M
AX
U
NITS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28C011TRT1FB-12 | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28C011TRT1FS-20 | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28C011TRT2FB-12 | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28C011TRT2FB-15 | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28C011TRT2FB-20 | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28C0236-0AW | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:LEADED,6X10MM,8A,499 OHM,1 LINE,-55-+125,T/R - Bulk |
| 28C0236-0AW-10 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:LEADED,6X10MM,8A,499 OHM,1 LINE,-55-+125,T/R,HAZMAT - Bulk |
| 28C0236-0BS | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:LEADED,6X10MM,8A,835 OHM,1 LINE,-55-+125,BULK - Bulk |
| 28C0236-0BS-10 | 功能描述:EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 835ohms 100MHz 5A Thru-hole RoHS:否 制造商:Fair-Rite 產(chǎn)品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流電流: 最大直流電阻: 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 封裝 / 箱體: 端接類型:SMD/SMT |
| 28C0236-0BW | 功能描述:BEAD MULTI-TURN AXIAL 835 OHMS RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標準包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A |
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