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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 200GA120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | 200GA120DN2 |
1
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
IGBT Power Module
Single switch
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GA 120 DN2
BSM 200 GA 120 DN2 S
V
CE
1200V 300A
1200V 300A
I
C
Package
SINGLE SWITCH 1
SSW SENSE 1
Ordering Code
C67076-A2006-A70
C67070-A2006-A70
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
200
300
A
I
Cpuls
400
600
P
tot
1550
+ 150
W
T
j
T
stg
°C
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
≤
0.08
≤
0.15
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | IGBT Module |
| 200GA170DN2 | IGBT Module |
| 200GA170DN2S | IGBT Module |
| 200GB120DN2 | IGBT Module |
| 200GL120DN2 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB60DLC | 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:Technicshe Information |
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