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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1T5G |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | GREEN, MINIATURE, PLASTIC, TS-1, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 444K |
| 代理商： | 1T5G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T7G | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1T33A | SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T33C-T7 | 38 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T359 | VHF-UHF BAND, 29.5 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T369 | 43.4 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1T5G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1T5G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1T5G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 1A 2-Pin TS-1 T/R |
| 1T5G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
| 1T5GT | 制造商:Tubes 功能描述: |
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