參數(shù)資料
型號(hào)： 1T417
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： PLASTIC, M-290, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： 1T417
—2—
1T417
Example of Representative Characteristics
10
5
2
1
0.2
0.5
0.1
C
-D
io
d
e
c
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
VR-Reverse voltage (V)
1
2
5
10
20
50
Forward voltage vs. Ambient temperature
0.80
0.90
0.70
0.60
–20
V
F
-F
o
rw
a
rd
v
o
lt
a
g
e
(V
)
Ta-Ambient temperature (
°C)
IF=1mA
0
20
40
60
80
Reverse current vs. Ambient temperature
Diode capacitance vs. Reverse voltage
1000
100
10
IR
-R
e
v
e
rs
e
c
u
rr
e
n
t
(p
A
)
Ta-Ambient temperature (
°C)
–20
0
20
40
60
80
Reverse voltage vs. Ambient temperature
40
45
35
30
–20
V
R
-R
e
v
e
rs
e
v
o
lt
a
g
e
(V
)
Ta-Ambient temperature (
°C)
IR=10
A
VR=25V
Ta=25
°C
0
20
40
60
80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1U4 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1W02 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
1W06 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
1W10 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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1T4G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1T4G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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