參數(shù)資料
型號： 1SS309
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SC-74A, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： 1SS309
1SS309
2001-06-07
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SS309
Ultra High Speed Switching Applications
Small package
: SC-74A
Low forward voltage
: VF (3) = 0.90V (typ.)
Fast reverse recovery time: trr = 1.6ns (typ.)
Small total capacitance
: CT = 0.9pF (typ.)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Maximum (peak) reverse voltage
VRM
85
V
Reverse voltage
VR
80
V
Maximum (peak) forward current
IFM
300 (*)
mA
Average forward current
IO
100 (*)
mA
Surge current (10ms)
IFSM
2 (*)
A
Power dissipation
P
200
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55
125
°C
(*)
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
VF (1)
―
IF = 1mA
―
0.60
―
VF (2)
―
IF = 10mA
―
0.72
―
Forward voltage
VF (3)
―
IF = 100mA
―
0.90
1.20
V
IR (1)
―
VR = 30V
―
0.1
Reverse current
IR (2)
―
VR = 80V
―
0.5
A
Total capacitance
CT
―
VR = 0, f = 1MHz
―
0.9
3.0
pF
Reverse recovery time
trr
―
IF = 10mA, Fig.1
―
1.6
4.0
ns
Marking
JEDEC
―
EIAJ
SC74A
TOSHIBA
13H1B
Weight: 0.014g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1SS311 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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1SS312TE85L SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
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1SS313 SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
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參數(shù)描述
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1SS309_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Ultra High Speed Switching Applications
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