參數(shù)資料
型號: 1S2076RE
元件分類: 射頻混頻器
英文描述: SILICON, MIXER DIODE, DO-35
封裝: DO-35, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 80K
代理商: 1S2076RE
相關PDF資料
PDF描述
1S2471T-12 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2471T-85 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2471T-88 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2472T-10 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2472T-11 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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1S2094 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1S2095A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE
1S20-B 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel