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參數(shù)資料
| 型號： | 1PS76SB17T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 射頻混頻器 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 1PS76SB17T/R |
9397 750 14587
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 4 April 2005
3 of 8
Philips Semiconductors
1PSxSB17
4 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diode
6.
Thermal characteristics
[1]
For Schottky barrier diodes, thermal run-away has to be considered as in some applications the reverse
power losses PR are a signicant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse
power losses PR and IF(AV) rating will be available on request.
[2]
Refer to SOD323 (SC-76) standard mounting conditions.
[3]
Refer to SOD523 (SC-79) standard mounting conditions.
[4]
Refer to SOT666 standard mounting conditions.
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Table 6:
Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Table 7:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to
ambient;
in free air
SOD323
[2] -
-
450
K/W
SOD523
[3] -
-
450
K/W
SOT666
[4] -
-
700
K/W
Table 8:
Characteristics
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
see Figure 1;
IF = 0.1 mA
-
300
350
mV
IF = 1 mA
-
360
450
mV
IF = 10 mA
-
470
600
mV
IR
reverse current
-
250
nA
Cd
diode
capacitance
see Figure 3;
VR = 0 V; f = 1 MHz
-
0.8
1
pF
VR = 0.5 V; f = 1 MHz
-
0.65
-
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 1R5NH41TPA2 | 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1PS76SB21115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 40V SOD-323 |
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