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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1PMT5940BT3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 43 V, 0.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 1PMT5940BT3 |
3
MOTOROLA
1PMT5913BT3 through 1PMT5948BT3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Steady State Power Derating
Figure 2. Maximum Surge Power
Figure 3. Maximum Surge Power
Figure 4. Pulse Waveform 10/1000
Figure 5. Zener Voltage – To 12 Volts
Figure 6. Zener Voltage – 14 To 200 Volts
0
25
50
75
100
125
150
6
5
4
3
2
0
T, TEMPERATURE (
°
C)
P
D
10
100
1000
0.1
1
10
100
PW, PULSE WIDTH (ms)
P
P
RECTANGULAR
NONREPETITIVE
WAVEFORM
1
TL
TA
10
1
0.1
1
10
0.01
Tp, PULSE WIDTH (ms)
P
P
NONREPETITIVE
EXPONENTIAL
PULSE WAVEFORM
TJ = 25
°
C
2
4
6
8
10
12
10
8
6
4
2
0
–2
–4
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
,
θ
V
°
VZ @ IZT
200
100
70
50
30
20
10
10
20
30
50
70
100
200
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
,
θ
V
°
VZ @ IZT
120
100
80
60
40
0
0
1
2
3
4
t, TIME (ms)
I
20
5
TA = 25
°
C
PW (ID) IS DEFINED AS THE
POINT WHERE THE PEAK CURRENT
DECAYS TO 50% OF Ipp.
= 10
μ
s
PEAK VALUE
Ippm
HALF VALUE – Ipp/2
10/1000
μ
s WAVEFORM
AS DEFINED BY R.E.A.
td
NOTE 1. ZENER VOLTAGE (VZ) MEASUREMENT
Nominal zener voltage is measured with the device junction
in thermal equilibrium with ambient temperature at 25
°
C
0.1
0.001
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5942BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5943BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5944BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
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| 1PMT5946BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1PMT5940C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:53 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
| 1PMT5940C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:53 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1PMT5940CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:53 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
| 1PMT5940CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:53 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1PMT5940E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 43V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 43V 20% POWERMITE |
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