參數(shù)資料
型號: 1PMT5930BT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Plastic Surface Mount 3.2 Watt Zener Diode(塑料表貼封裝,3.2W,16V齊納電壓,齊納穩(wěn)壓二極管)
中文描述: 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
封裝: PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: 1PMT5930BT3
Zener Voltage Regulator
I
F
V
I
I
R
I
ZT
V
R
V
Z
V
F
1PMT5920BT3 Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C (Note 1.)
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance from Junction to Ambient
°
P
D
°
R
θ
JA
500
4.0
248
°
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance from Junction to Lead (Anode)
R
θ
Janode
°
P
D
°
R
θ
Jcathode
35
°
C/W
Maximum DC Power Dissipation (Note 2.)
Thermal Resistance from Junction to Tab (Cathode)
3.2
23
W
°
C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to +150
°
C
1. Mounted with recommended minimum pad size, PC board FR–4.
2. At Tab (Cathode) temperature, T
tab
= 75
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless
otherwise noted, V
F
= 1.5 V Max. @ I
F
= 200 mAdc for all types)
Symbol
Parameter
V
Z
Reverse Zener Voltage @ I
ZT
I
ZT
Reverse Current
Z
ZT
Maximum Zener Impedance @ I
ZT
I
ZK
Reverse Current
Z
ZK
Maximum Zener Impedance @ I
ZK
I
R
Reverse Leakage Current @ V
R
V
R
Reverse Voltage
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 30
°
C unless otherwise noted, V
F
= 1.25 Volts @ 200 mA)
Zener Voltage
(Note 3.)
Z
ZT
@ I
ZT
(Note 4.)
Z
ZK
@ I
ZK
(Note 4.)
Device
Marking
V
Z
@ I
ZT
(Volts)
I
ZT
(mA)
I
R
@ V
R
( A)
V
R
(V)
I
ZK
(mA)
Device
Min
Nom
Max
( )
( )
1PMT5920BT3
20B
5.89
6.2
6.51
60.5
5.0
4.0
2.0
200
1.0
1PMT5921BT3
21B
6.46
6.8
7.14
55.1
5.0
5.2
2.5
200
1.0
1PMT5922BT3
22B
7.12
7.5
7.88
50
5.0
6.0
3.0
400
0.5
1PMT5923BT3
23B
7.79
8.2
8.61
45.7
5.0
6.5
3.5
400
0.5
1PMT5924BT3
24B
8.64
9.1
9.56
41.2
5.0
7.0
4.0
500
0.5
1PMT5925BT3
25B
9.5
10
10.5
37.5
5.0
8.0
4.5
500
0.25
1PMT5927BT3
27B
11.4
12
12.6
31.2
1.0
9.1
6.5
550
0.25
1PMT5929BT3
29B
14.25
15
15.75
25
1.0
11.4
9.0
600
0.25
1PMT5930BT3
30B
15.2
16
16.8
23.4
1.0
12.2
10
600
0.25
1PMT5931BT3
31B
17.1
18
18.9
20.8
1.0
13.7
12
650
0.25
1PMT5933BT3
33B
20.9
22
23.1
17
1.0
16.7
17.5
650
0.25
1PMT5934BT3
34B
22.8
24
25.2
15.6
1.0
18.2
19
700
0.25
1PMT5935BT3
35B
25.65
27
28.35
13.9
1.0
20.6
23
700
0.25
1PMT5936BT3
36B
28.5
30
31.5
12.5
1.0
22.8
28
750
0.25
1PMT5939BT3
39B
37.05
39
40.95
9.6
1.0
29.7
45
900
0.25
1PMT5941BT3
3. Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium with an ambient temperature of 25
°
C.
4. Zener Impedance Derivation Z
ZT
and Z
ZK
are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The
specified limits are for I
Z
(ac) = 0.1 I
Z
(dc) with the ac frequency = 60 Hz.
41B
44.65
47
49.35
8.0
1.0
35.8
67
1000
0.25
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1PMT5930CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 16V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):16V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000
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