參數(shù)資料
型號: 1PMT5926BT3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: surface mount silicon Zener diodes
中文描述: 11 V, 0.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 138K
代理商: 1PMT5926BT3
MOTOROLA
4
1PMT5913BT3 through 1PMT5948BT3
Figure 7. VZ = 3.3 thru 10 Volts
Figure 8. VZ = 12 thru 82 Volts
NOTE 2. ZENER IMPEDANCE (ZZ) DERIVATION
ZZT and ZZK are measured by dividing the ac voltage drop
across the device by the ac current applied. The specified
limits are for IZ(ac) = 0.1 IZ(dc) with the ac frequency = 60 Hz.
Figure 9. Effect of Zener Voltage
Figure 10. Effect of Zener Current
IZ, ZENER TEST CURRENT (mA)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Z
Z
TJ = 25
°
C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
VZ =150V
91V
62V
22V
12V
6.8V
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
5
7
10
20
30
50
70
100
200
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
Z
Z
10mA
IZ(dc) = 1mA
20mA
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
I
Z
2
5
3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
I
Z
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
2
5
3
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1PMT5926CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000
1PMT5926E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000