型號: | 1PMT4099DE3 |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DO-216, POWERMITE-2 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 113K |
代理商: | 1PMT4099DE3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1PMT4108CE3 | 14 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
1PMT4123DE3 | 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
1PMT4618CE3 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
1N4695DBK | 8.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N5232CBK | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1PMT4099E3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:POWERMITETM Low Noise 1 Watt Zener Diodes |
1PMT4099E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
1PMT4099E3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
1PMT40AT1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 40V 200W Powermite RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1PMT40AT1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |