參數(shù)資料
型號： 1N956BCO
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： DIE-1
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 1N956BCO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N956DCO 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1N956D 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1N950C 35 pF, 150 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1N5309 3 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
1N5311 3.6 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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1N957B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
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