參數(shù)資料
型號： 1N914B
英文描述： HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
中文描述： 高速硅開關二極管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： 1N914B
1999 May 26
4
Philips Semiconductors
Product specication
High-speed diode
1N914
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
0
200
100
0
50
MGD289
100
IF
(mA)
T
( C)
amb
o
Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
(1) Tj = 175 °C; typical values.
(2) Tj =25 °C; typical values.
(3) Tj =25 °C; maximum values.
handbook, halfpage
012
600
0
200
400
MBG464
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj =25 °C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG704
10
tp (s)
1
IFSM
(A)
102
101
104
102
103
10
1
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PDF描述
1N914UR SWITCHING DIODE
1N916 HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
1N935 9.0 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
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參數(shù)描述
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1N914B A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000
1N914B,113 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N914B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode
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