參數(shù)資料
型號: 1N914B
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝: GLASS, GSD, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 48K
代理商: 1N914B
1N4148 / 1N4150 / 1N4448
Diodes
1/2
Switching diode
1N4148 / 1N4150 / 1N4448
This product is available only outside of Japan.
Application
High-speed switching
Features
1) Glass sealed envelope. (GSD)
2) High speed.
3) High reliability.
Construction
Silicon epitaxial planar
External dimensions (Unit : mm)
φ 0.5±0.1
C
29
±1
29
±1
CATHODE BAND (BLACK)
3.8
±0.2
A
φ 1.8±0.2
Type No.
ROHM : GSD
EIAJ :
JEDEC : DO-35
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Type
1N4148
100
65 to +200
(V)
VRM
75
(V)
VR
450
(mA)
IFM
150
(mA)
IO
200
(mA)
IF
2
(A)
1
s
IFSM
500
(mW)
P
200
1N4150
50
65 to +200
50
600
200
250
4
500
200
1N4448
(1N914B)
100
65 to +200
75
450
150
200
2
500
200
(
°C)
Tj
(
°C)
Topr
(
°C)
Tstg
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Type
0.1mA
1.0
0.66
0.62
0.74
0.76
0.86
0.82
0.92
1.0
0.87
1.0
0.54
0.62
0.72
@
0.25mA
@
1mA
@
2mA
@
5mA
@
10mA
@
20mA
@
30mA
@
50mA
@
100mA
@
200mA
@
250mA
@
5
A
75
100
50.0
20
4
0.025
5.0
20
75
50
0.1
50
100.0
50
2.5
4
100
50.0
20
4
@
100
A
@
@150
°C
VR (V)
@25
°C
VR (V)
trr (ns)
Cr (pF)
IR (
A) Max.
BV (V) Min.
VF (V)
IF
=10mA
f
=1MHz
VR
=0
RL
=100
VR
=6V
1N4148
1.0
75
100
50.0
20
4
0.025
5.0
20
75
1N4531
1N4150
1N4448
0.025
5.0
20
75
The upper figure is the minimum VF and the lower figure is the maximum VF value.
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