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參數(shù)資料
| 型號： | 1N832M |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 射頻混頻器 |
| 英文描述： | SILICON, X BAND, MIXER DIODE, DO-7 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, DO-7, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | 1N832M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6625 | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 100L101 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 100L273 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 100L53 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 100L84 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N84 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GOLD BONDED DIODES |
| 1N849 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:JEDEC DO-7 PACKAGE |
| 1N86 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GOLD BONDED DIODES |
| 1N87 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:JEDEC DO-7 PACKAGE |
| 1N87A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GERMANIUM DIODE |
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