參數(shù)資料
型號： 1N6621US
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-A, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： 1N6621US
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Addre1N - sales@sensitron.com
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5089, REV. A
Ultrafast Recovery Rectifier
Hermetic, non-cavity glass package
Metallurgically bonded
Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All ratings are at TA = 25
oC unless otherwise specified.
SJ
SX
SV
1N6620,U,US thru 1N6625,U,US
Rating
Symbol
Condition
Max
Units
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE
1N6620, U, US
1N6621, U ,US
1N6622, U, US
1N6623, U, US
1N6624 ,U, US
1N6625, U, US
VRWM
200
400
600
800
900
1000
Volts
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT
1N6620, U, US thru 1N6622, U, US
1N6623, U, US thru 1N6625, U, US
Io
1.2
1.0
Amps
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US
1N6625, U, US
IFSM
Tp=8.3ms
20
15
A(pk)
MAXIMUM REVERSE CURRENT
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US
1N6625, U, US
IR @ VRWM
Tj = 25
oC
0.5
1.0
μAmps
MAXIMUM REVERSE CURRENT
1N6620, U, US thru 1N6624,U, US
1N6625, U, US
IR @ VRWM
Tj = 150
oC
150
200
μAmps
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US
1N6623,U, US & 1N6624,U, US
1N6625, U, US
VFM
IF=2.0A
IF=1.5μA
1.60
1.80
1.95
Volts
PEAK RECOVERY CURRENT
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US
1N6623,U, US & 1N6624,U, US
1N6625, U, US
IRM
IF=2A,
100A/
μ
3.5
4.2
5.0
A(pk)
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US
1N6623,U, US & 1N6624,U, US
1N6625, U, US
Trr
IF=0.5A
IRM =1.0A
30
50
60
ns
FORWARD RECOVERY VOLTAGE
1N6620, U, US thru 1N6622,U, US
1N6623,U, US & 1N6624,U, US
1N6625, U, US
VFRM
IF=0.5A
tr=12ns
12
18
30
Volts
THERMAL RESISTANCE (Axial)
1N6620 thru 1N6625
R
θ
JL
L=.375
38
oC/W
THERMAL RESISTANCE (MELF)
1N6620U,US thru 1N6625U,US
R
θ
JC
L=0
20
oC/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6628UV 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N6629UV 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
100L118 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
100L211 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
10L240 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:100
1N6622 功能描述:DIODE ULTRAFAST 600V 2AMP AXIAL RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
1N6622E3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N6622E3 - Tape and Reel
1N6622U 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 660V 1.2A 2-Pin Case A 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Switching 600V 1.2A 2-Pin MELF-A 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 660V 1.2A 2-Pin Case A
1N6622US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 600V 1.2A 2PIN D-5A - Bulk
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