| 型號(hào): | 1N645-1 |
| 廠商: | MICROSEMI CORP-IRELAND |
| 元件分類(lèi): | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
| 中文描述: | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封裝: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商: | 1N645-1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4000A | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
| 1.5KE12 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE13 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE15 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE16 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N645-1/TR | 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N645-1/TR7 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N645-1JAN | 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: |
| 1N645-1JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N645-1JANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 225V 0.4A 2-Pin DO-35 |